阿斯麦供应商：中国研发成熟EUV光刻机或需15年

路透社2024年4月19日取得的英特尔公司提供照片显示，工作人员站在美国俄勒冈州希尔斯伯勒一处英特尔设施内的“高数值孔径极紫外光”（High-NA EUV）光刻系统前。（路透社档案照片）

荷兰半导体设备巨头阿斯麦的关键供应商、德国蔡司集团称，中国在研发尖端光刻机设备方面仍落后约15年。

蔡司半导体部门负责人罗蒙德（Frank Rohmund）接受彭博电视访问时说，北京可能需要15年才能研发出极紫外光（EUV）光刻机，这是一个“合理的估计”，但中国的实际进展难以量化。

随着中美竞相研发尖端人工智能（AI）模型，晶片制造技术成为美国限制中国取得顶尖AI晶片的重点领域。在美国推动的出口管制下，荷兰政府限制阿斯麦向中国出口最先进的光刻设备；北京则向国内半导体行业投入巨资，争取实现自给自足。

蔡司是阿斯麦EUV光刻机所用光学系统的独家供应商，阿斯麦则是全球唯一能够商业化生产EUV光刻机的企业。EUV技术对于制造英伟达AI加速器所使用的最先进晶片至关重要。

罗蒙德作出上述估计前，由布维尼（Francois-Xavier Bouvignies）领衔的瑞银分析师本周在报告中指出，中国未来10年内可能仍难以研发出可替代阿斯麦设备的国产EUV技术。

中国是阿斯麦上一代深紫外光（DUV）光刻机的主要市场之一。美国也规定，阿斯麦向中国出口数款技术较先进的浸没式DUV光刻机，须事先取得许可。

罗蒙德认为，如果出口管制进一步扩大至较旧的DUV光刻机，将不利于企业经营。他说：“我们不认为这些出口限制会产生积极影响，因为这反而会加速中国的创新。”

中国在生产浸没式DUV光刻设备方面已取得进展。科技媒体The Information今年7月引述知情人士报道，上海一家企业已开始制造浸没式DUV光刻机，但设备性能及量产可靠性仍有待验证。

罗蒙德说，中国已投入数十年研发相关技术，因此近期有关技术突破的报道“并不令人意外”。他说：“接下来，我们须观察这些设备的实际性能究竟如何。”但他强调：“我们仍然遥遥领先。”