国产半导体设备重大突破！北方华创宣布3D DRAM刻蚀突破：没有EUV也能造先进存储

📋总体概括

国内半导体设备龙头北方华创在IEEE期刊发文，宣布3D DRAM刻蚀工艺重大突破。其开发的两步循环刻蚀技术，针对硅与硅锗交替堆叠的64层3D DRAM结构，将工艺分为定点刻蚀与副产物清理两个循环阶段，解决了高深宽比下横向选择性刻蚀的行业难题，硅锗对硅的刻蚀选择比超过500:1。3D DRAM通过三维垂直堆叠晶体管提升存储密度，被视为DRAM下一阶段方向。在EUV光刻机对华出口管制背景下，该技术为长鑫存储等国产存储厂商绕开光刻壁垒、实现先进存储自主量产开辟了新路径。