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阿斯麦赢得台积电和三星承诺 新一代EUV光刻机获强力“护航”
📋总体概括
阿斯麦9月8日连发三条公告，宣布与台积电、三星、英特尔共同推进下一代高数值孔径（High NA）EUV光刻技术：台积电拟2030年起将其用于先进制程量产，三星计划2028年前率先用于DRAM量产，英特尔已处理超100万片相关晶圆。三星称合作将推动12英寸光掩模取代使用几十年的6英寸格式。三大晶圆厂集体背书，为High NA EUV在AI数据中心芯片时代的大规模应用提前锁定了路线图。
⚡关键信息
- ▸阿斯麦9月8日同时公告与台积电、三星、英特尔推进High NA EUV技术合作
- ▸台积电计划自2030年起将High NA用于先进制程大规模生产
- ▸三星计划2028年前首次将High NA用于DRAM大规模生产
- ▸英特尔称已处理超过100万片采用High NA EUV相关技术的晶圆
- ▸三星称合作旨在推动12英寸光掩模取代沿用几十年的6英寸格式
🔥犀利点评
三条公告一天发出，本质是阿斯麦在给定价数亿美元的High NA设备找「信用背书」——设备太贵，没有大客户承诺量产时间表，设备商自己根本赌不起。台积电把时间点压到2030年、三星抢先用于DRAM，说明各家都在用差异化节点对冲风险。真正的悬念在于：现有EUV曝光面积约800平方毫米已成英伟达、谷歌芯片的天花板，而High NA换更小掩模反而加剧这一矛盾，靠12英寸大掩模救场仍是纸面方案。Intel那100万片晶圆更像是提前下注的营销话术。
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