韩媒嘲讽长鑫HBM3良率仅25%：4个里3个是废品！拿什么追SK海力士

📋总体概括

据韩国《朝鲜日报》报道，中国最大DRAM厂商长鑫存储已启动第四代高带宽内存HBM3试产，但初期良率仅25%，远低于行业公认的80%量产黄金线，而SK海力士自2022年量产同类产品良率已超90%。韩媒将瓶颈归咎于TSV硅通孔技术：长鑫单芯片TSV约3000个，低于三星HBM2的5000个和SK海力士HBM3的8000个。报道承认长鑫普通DRAM工艺无大问题，但认为TSV积累需要时间，韩企已有4至5年领先优势。