消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

📋总体概括

韩媒ZDNET Korea 10月12日报道，三星电子正开发针对AI负载优化的NAND闪存产品线：在已公布的zNAND-O之外新增zNAND-T与zNAND-I两款。zNAND-T主打吞吐量，类似闪迪与SK海力士的HBF概念，采用TSV堆叠NAND Die优化数据中心AI读写带宽；zNAND-I主打IOPS随机性能，适配KV Cache卸载等少量数据频繁读写场景。三种zNAND各有专长，标志着NAND闪存正从通用型走向按负载定制化的新阶段。