08.31 华为芯片密度将破400M，国产EUV光刻效率反超ASML，十年封锁被打破了？

📋总体概括

该视频梳理中国芯片突围路径：华为麒麟9080计划于2029年实现400MTr/mm²的晶体管密度，宣称比台积电同级节点提前两年；国产LDP-EUV光刻技术以每小时250片的产能、功耗降低40%、成本约为进口设备三分之一等指标挑战ASML；同时通过3D逻辑堆叠绕开平面光刻精度限制，联合实验室18个月内完成从实验室到试产。内容属自媒体技术拆解，数据多为路线图与宣称值，意义在于展示国产替代叙事，但兑现度仍需验证。