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美光吹响反击号角!HBM4产能翻倍直追三星海力士:年底10万片

驱动之家·2026/9/4 10:03:00🔗 原文

📋总体概括

美光计划年底前大规模投资扩产HBM4 12层产品,新增最多6万片/月晶圆产能,从去年4万至5万片提升至10万片规模,产能翻倍以上。其HBM4爬坡速度为HBM3E的两倍,累计出货营收已超10亿美元,产品将用于英伟达Vera Rubin加速器。但目前三星与SK海力士月产能各15万至20万片,为美光的3至4倍;二季度HBM市场份额海力士50%、三星32%、美光18%。美光同时布局2027年放量的HBM4E,采用1γ EUV制程DRAM并转由台积电代工基底芯片。

关键信息

  • 美光年底前新增最多6万片/月HBM产能,总规模达10万片,为去年的两倍以上
  • 12层HBM4爬坡速度约为HBM3E两倍,累计出货营收已超10亿美元
  • HBM4 12层占比将从年初20%至30%升至年底最高50%,供应英伟达Vera Rubin加速器
  • 三星与SK海力士月产能各15万至20万片,约为美光的3至4倍,差距仍大
  • HBM4E预计2027年放量,DRAM首次导入EUV的1γ制程,基底芯片转由台积电代工

🔥犀利点评

美光这波翻倍扩产看着热闹,本质是追赶者的焦虑营销:产能10万片对着三星海力士各15万至20万片,份额18%翻倍后也摸不到老二的边。真正的看点反倒是HBM4E把基底芯片交给台积电——用制造外包换产品周期,说明美光清楚在DRAM堆叠工艺上硬拼不过两家韩厂,只能借英伟达Vera Rubin的窗口抢一个先发身位。AI军备赛下产能不是护城河,绑定大客户才是。

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