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备战 HBM4E：消息称 1c nm 有望 2027 年初成为 SK 海力士第一大 DRAM 工艺
📋总体概括
据韩媒ChosunBiz报道，SK海力士第六代10nm级DRAM工艺1c nm产能占比将从2026Q1的10%逐季爬升至2027Q1的35%，届时超越1b nm的33%，成为其第一大DRAM制程。由于HBM4仍采用1b nm Die，而下一代HBM4E将升级至1c nm，海力士提前扩充1c nm产能意在为HBM4向HBM4E切换铺路。作为对比，业内预计三星和美光在2026Q2末的第6代10nm级DRAM产能占比仅分别为16%和19%，海力士节奏明显领先。
⚡关键信息
- ▸SK海力士1c nm产能占比将从2026Q1的10%逐季升至2027Q1的35%，五个季度增长25个百分点
- ▸2027年初1c nm占比35%将反超1b nm的33%，成为海力士第一大DRAM制程
- ▸海力士HBM4仍使用1b nm DRAM Die，HBM4E将升级至1c nm DRAM Die
- ▸提前扩充1c nm产能旨在保障HBM4向HBM4E升级时的供应平滑过渡
- ▸业内预计2026Q2末三星、美光第6代10nm级DRAM产能占比分别仅16%和19%，落后于海力士
🔥犀利点评
这不是简单的制程迭代，而是一场为HBM4E量身定制的产能豪赌。海力士敢在HBM4还用1b nm时就疯狂爬坡1c nm，本质是把赌注押在HBM需求只会更猛的判断上——AI军备竞赛下，谁先备好HBM4E产能，谁就锁死英伟达下一代的订单。35%对16%、19%的产能代差，等于三星和美光在HBM主战场又要追一整年。存储行业的竞争窗口正从良率转向前瞻性备货，慢一步就是整个周期的利润差。
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