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阿斯麦与台积电推动高NA EUV光罩向12英寸升级,计划2031年建立试产线
📋总体概括
阿斯麦与台积电宣布成立行业合作计划,将高NA EUV光刻的光罩从现有6英寸升级到12英寸,目标是提升晶圆厂生产效率、降低芯片成本并消除拼接限制。双方规划2031年建成12英寸光罩试产线,推动12英寸高NA EUV系统于2033年进入先进制程量产;台积电则预计自2030年起在先进制程大规模生产中采用ASML高NA技术。此举意味着先进制程的供应链与设备体系将迎来新一轮重构,光罩、检测等配套环节面临全面升级。
⚡关键信息
- ▸阿斯麦与台积电成立行业合作计划,推动高NA EUV光罩由6英寸升级至12英寸
- ▸双方计划2031年建立12英寸光罩试产线,2033年推动12英寸高NA EUV系统进入先进制程量产
- ▸台积电预计2030年起在先进制程大规模生产中采用ASML高NA技术
- ▸升级目标为提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本并消除拼接限制
🔥犀利点评
这本质上是先进制程的成本保卫战:光罩尺寸不升级,拼接带来的良率损耗和效率瓶颈将拖死1纳米以下的经济学。但看清楚时间表——2031试产、2033量产,与高NA EUV本身缓慢的导入节奏一致,所谓「合作计划」更多是给光罩供应商和材料厂发军令状,拉全行业提前下注。赌注极大,回报取决于2纳米之后还有没有足够客户为天价先进制程买单。
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