三星拟于2028年前将高NA EUV用于DRAM量产

📋总体概括

三星电子与阿斯麦宣布扩大战略合作，三星计划在2028年前首次将高数值孔径（High NA）EUV光刻技术应用于DRAM大规模生产，同时加入推动12英寸光罩技术发展的行业合作计划。三星称12英寸光罩可提高晶圆厂生产效率、降低制造成本并减少拼接限制，高NA EUV则有望延长DRAM制程微缩路线、简化工艺。这一布局表明三星试图借最先进光刻设备在存储芯片竞争中对SK海力士和美光建立工艺代差优势。