资讯
Intel、ASML宣布量产100万片High NA EUV晶圆：还要破除最大死穴
📋总体概括
Intel与ASML联合宣布High NA EUV光刻技术已量产100万片晶圆，主要来自Intel的18A工艺，远早于原定14A工艺导入计划，进度超预期两年。ASML全球累计135万片High NA EUV晶圆中，其余35万片为台积电、三星、SK海力士测试及小规模使用。全球目前4家客户拥有10台High NA EUV光刻机，另有3台在安装中。双方还宣布联合开发6x12英寸大尺寸光罩，计划2031年试产、2033年量产，以解决High NA EUV视场减半导致芯片面积上限降至429mm2、无法承载高性能AI芯片的核心缺陷。
⚡关键信息
- ▸Intel与ASML宣布High NA EUV量产100万片晶圆，Intel在18A工艺提前两年导入该技术
- ▸ASML全球累计135万片High NA EUV晶圆，其余35万片来自台积电、三星、SK海力士的测试与小规模生产
- ▸全球4家客户共投入10台High NA EUV光刻机，另有3台正在出货安装
- ▸Intel是ASML High NA EUV最大客户，双方联合开发6x12英寸光罩，2031年试产、2033年量产
- ▸High NA EUV视场减半使芯片面积上限从858mm2降至429mm2，做不了NVIDIA级别的大芯片AI GPU
🔥犀利点评
Intel把High NA EUV提前两年押到18A上，与其说是技术领先，不如说是绝境下的豪赌——18A成败直接决定Intel的生死，它没资格等14A。但光罩尺寸这个死穴被点得很实在：429mm2的面积上限意味着High NA EUV在AI大芯片时代基本无用武之地，2033年才能量产的大光罩远水难解近渴。Intel抢跑的量产数字漂亮，可竞争对手按兵不动未必是落后，可能只是不想为不成熟的技术买单。
📰 相关资讯（与本文相关的其他资讯）
本文由本站自动聚合，以下为原始来源：前往 驱动之家 阅读全文 →